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金兰功率半导体发布LE3系列三款215KW三电平储能模块
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简介近期,金兰功率半导体无锡)有限公司正式推出 LE3系列三款215KW INPC三电平储能模块,瞄准1500V智慧储能主流方案,以"高效+可靠+灵活"为核心定位,从芯片到系统层层优化,为大储场景提供高性 ...
近期,金兰金兰功率半导体(无锡)有限公司正式推出 LE3系列三款215KW INPC三电平储能模块,功率瞄准1500V智慧储能主流方案,半导布以"高效+可靠+灵活"为核心定位,列款从芯片到系统层层优化,电平为大储场景提供高性价比国产替代方案。模块
随着光伏新能源技术发展,金兰1500V智慧解决方案已普遍应用于全球地面电站,功率并渗透至大型分布式屋顶。半导布更高电压、列款更大功率、电平更高容配比显著降低度电成本,模块但对功率模块的金兰耐压、散热、功率可靠性提出了更严苛要求。半导布金兰LE3系列正是针对这一行业痛点而来。
JL3I600V110SE3E7SS:600A / 1100V INPC,搭配Si₃N₄ AMB陶瓷基板,极限工况下功率可达 280KW以上,是三款中性能天花板。
JL3I600V110SE3E7SN:600A / 1100V INPC,标配方案,三相效率处于行业领先水平。
第三款同样基于600A / 1100V INPC平台,面向不同效率与成本需求提供灵活选型空间。
三款均采用 LE3封装,兼容Easy3B封装标准,可直接适配1500V储能变流器(PCS)主流拓扑。
六大核心技术优势
芯片层面,搭载自研 第七代微沟槽场截止GEN.7 IGBT,低压降、低动态损耗,专为高频高功率场景设计。
耐压层面,IGBT耐压1100V,在损耗与客户端电压应力之间取得最佳平衡。
散热层面,选用 ZTA/AMB基材(Si₃N₄陶瓷+铜底板),成品翘曲控制在0.3mm以内,导热硅脂涂覆效果优异,高温工况下散热性能突出。
可靠性层面,通过全套芯片级加封装级可靠性验证,确保长期运行稳定性。
灵活性层面,开放模块模型供客户配合工况仿真,支持多功率段定制化开发。
可追溯性层面,MES加ERP系统保障生产信息全链路可追溯,品质管控到位。
额定电流600A,额定电压1100V,标准功率215KW,极限功率280KW以上。封装为LE3焊接Pin,兼容Easy3B。拓扑结构为INPC三电平,主要面向1500V储能PCS、大型地面电站及工商业储能场景。
金兰功率半导体成立于2021年,系A股上市公司 新洁能(605111)子公司,注册资本2亿元,坐拥2万㎡净化厂房。首期产能6万只/月,二期建成后年产能达 400万只。目前已获37项专利,通过ISO9001认证,产品覆盖650V/1200V全电压平台,客户涵盖国内头部光伏逆变器厂商与储能系统集成商。
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